d類(lèi)數(shù)字功放芯片哪種好?
目前最好的D類(lèi)數(shù)字功放芯片有SC3120、CS8591等。
SC3120電路是一種高耐壓、高速的MOSF
3866芯片參數(shù)?
型號(hào):2SC3866
類(lèi)型:NPN三極管
集電極最大耗散功率(PCM):40W。
最大允許集電極電流(ICM):3a
集電極和基極的最大耐受電壓(VCBO):900v
這個(gè)參數(shù)的三極管,c3866,通常用作開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)管。
可以用參數(shù)更高的D1710、D2334、D1802、D2498代替。
充電器芯片有哪些,手機(jī)電源ic芯片壞了怎么辦,是否與充電器有關(guān)?
a:充電器芯片是什么?所有的電子設(shè)備都離不開(kāi)芯片,充電器在日常生活中隨處可見(jiàn),是充電設(shè)備不可或缺的一部分。充電器芯片作為充電器的核心部件,主要是將交流電轉(zhuǎn)換成與之匹配的直流電傳輸能量",在充電過(guò)程中起著至關(guān)重要的作用,直接影響充電器的使用效率和使用壽命。讓讓我們了解一下常用的充電器芯片。
充電器芯片的常用型號(hào)
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市面上的充電器芯片種類(lèi)繁多,性能參差不齊。各種雜波、浪涌等干擾頻繁出現(xiàn),導(dǎo)致充電器損壞失效。至少整機(jī)可以無(wú)常工作,同時(shí)還會(huì)影響手機(jī)電池的使用壽命,讓電源工程師苦不堪言。因此,選擇合適的充電器芯片極其重要。
深圳市半導(dǎo)體有限公司在充電器適配器領(lǐng)域提供功率段齊全的AC/DC功率芯片,內(nèi)置5-10W高壓?jiǎn)?dòng)和功率管的PSR系列,內(nèi)置10-18W高壓?jiǎn)?dòng)和功率管的反激系列,15-90W外置MOS控制器系列等。是普通充電、快充、無(wú)線(xiàn)充電、充電電源芯片的完整解決方案供應(yīng)商。
功率集成電路是"電力供應(yīng)中心"手機(jī)的聲音。當(dāng)手機(jī)的電源ic芯片出現(xiàn)故障時(shí),可能會(huì)出現(xiàn)充電不正常、手機(jī)不能t開(kāi)機(jī),耗電異常,屏幕鍵盤(pán)故障等等。但手機(jī)出現(xiàn)這樣的情況后,無(wú)法直觀的確定故障原因。只有在拆開(kāi)機(jī)器進(jìn)行相關(guān)測(cè)試后,才能弄清故障的位置和原因。毛杰電子建議用戶(hù)在手機(jī)出現(xiàn)異常時(shí),可以盡快將手機(jī)送至品牌客服進(jìn)行檢測(cè)。
那么手機(jī)電源的ic芯片損壞是什么原因造成的呢?讓讓我們看一看:
1.充電器輸出規(guī)格與手機(jī)不一致:山寨小功率充電器電流不足,會(huì)被手機(jī)拉伸時(shí),充電器在啟動(dòng)和拉伸之間反復(fù)跳躍,產(chǎn)生的沖擊容易損壞電源IC。
2.輸入電壓極性不正確或反插:標(biāo)準(zhǔn)接口一般很難插,但有可能反插這種可能性,但不高。
3.浪涌沖擊:如果充電器質(zhì)量不好,在給手機(jī)充電的過(guò)程中,就像一個(gè)大型設(shè)備在電網(wǎng)附近被啟動(dòng)或停止,導(dǎo)致電網(wǎng)沖擊。因此,峰值浪涌疊加在輸出電壓上,類(lèi)似于雷擊,造成超出IC極限的損壞。
4.靜電損壞:功率芯片耐壓有限,一般有ESD電路保護(hù)。如果手機(jī)的設(shè)計(jì)接口外露,沒(méi)有ESD保護(hù),在干燥的環(huán)境下與化纖衣服摩擦極易造成靜電損壞,使用損壞的充電線(xiàn)也容易通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)對(duì)充電ic造成靜電損壞。
功率ic芯片是電子產(chǎn)品開(kāi)關(guān)電源的脈寬控制集成,電源完全依靠它來(lái)控制輸出電壓和電流以維持整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定。幾年前功率ic只集成了穩(wěn)壓器和DC/DC轉(zhuǎn)換器,現(xiàn)在功率ic包括DC/DC,LDO,電池充放電管理,PWM控制器,復(fù)位,PFC,節(jié)能控制,功率MOSEFT等等。電源ic的發(fā)展趨勢(shì)不局限于單一功能,而是集成多種功能,所以電源ic也叫電源管理ic。